単結晶基板
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エピタキシャル薄膜研究のためのいろいろなタイプの単結晶基板を供給しています。以下の表にリストアップしてある結晶基板を供給可能です。低価格で高品質の製品を提供します。
 
(A-K) (L-S) (S -Z)
Al2O3(sapphire：ｻﾌｧｲｱ) LaAlO3 SrLaGaO4
AlNﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ(窒化ﾊﾞﾘｳﾑﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ） LSAT SiO2( quartz )
Bi4Ge3O12(BGO12) LaF3 SiC(6H )
Bi12GeO20(BGO20) LiAlO2 SiC(4H )
CaCO3( Calcite) LiGaO2 SBN
CaF2 LiNbO3 Si
CdWO4 LiTaO3 Si-Ge
CdZnTe LiF Te-Dy-Fe (GMM)
CsI (TI) Lu2SiO5dopingCe TeO2
DyScO3 MgAl2O4(spinel) Ti(polycrystal)
Diamond on Si MgO TiO2
GaP(ﾘﾝ化ｶﾞﾘｳﾑ) MgF2 W(Polycrystal)
GaSb(ｱﾝﾁﾓﾝ化ｶﾞﾘｳﾑ) Mo(Polycrystal) YAlO3(YAP)
GaAs（ﾋ化ｶﾞﾘｳﾑ） Ni YAG(Y3Al5O12)
GaN（窒化ｶﾞﾘｳﾑ） NdGaO3 Nd:YAG
GaNﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ(ｻﾌｧｲｱ上) NdCaAlO4 YVO4
Ge（ｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ） PbWO4 Nd:YVO4
GGG PMNT YSZ(Y:ZrO2)
InP(ﾘﾝ化ｲﾝｼﾞｳﾑ) SrTiO3 ZnO
InAs(ﾋ化ｲﾝｼﾞｳﾑ) Nb:SrTiO3  
KTaO3(KTO) SrLaAlO4  
KTaNbO3(KTN)    
 

■単結晶基板について
Al2O3
(sapphire：ｻﾌｧｲｱ)		 単結晶サファイアは、酸化アルミニウム（アルミナ）の単結晶です。コランダム型構造（近似的には、六方晶）と呼ばれる結晶構造を持つ結晶体で、機械的特性、熱特性、光学特性、化学的安定性に優れた透明材料です。単結晶サファイア基板は、青色・白色LED、青色レーザを製造するためのGaNなどの窒素化合物半導体を結晶成長させる基板として、多く使用されています。
AlNﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ
(窒化ﾊﾞﾘｳﾑﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ）		 AlNテンプレート（例えば、単結晶基板上のAlNエピタキシャル薄膜）は、窒素化合物半導体材料における新しい波です。それは、高品質のⅢ－Ⅴ族窒素化合物半導体薄膜を成長させるための最も費用高価が高い解決策を提供します。
Bi4Ge3O12
（ﾋﾞｽﾏｽｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ
ｵｷｻｲﾄﾞ結晶：
BGO12結晶)		 Bi4Ge3O12結晶（ビスマスゲルマニウムオキサイド結晶）は、一般的に、BGO結晶と呼ばれます。それは水中に、透明で、そして不溶解性で、立方構造で無機の酸化物の水晶のような形態です。高いエネルギー粒子あるいはガンマ線、エックス線のような、他の放射源の放射線にさらされるとき、それは 480nm のピークの波長で緑の螢光を発散します。その高い阻止能、高いシンチレーション効率、良いエネルギー分解能、そして非吸湿性により、 BGO結晶は良いシンチレーション材料であって、そして、高エネルギー物理学、原子物理学、宇宙物理学、核医学、地質の試掘調査と他の産業における幅広いアプリケーションを見いだしました。
GaP
(ﾘﾝ化ｶﾞﾘｳﾑ)		 GaP(リン化ガリウム)単結晶は、6ナインの高純度材料を使用して、LEC法により結晶成長させた単結晶です。単結晶GaP基板は、赤色、黄色、緑色LED用の基板として、広く利用されています。
GaSb
(ｱﾝﾁﾓﾝ化ｶﾞﾘｳﾑ)		 GaSb（アンチモン化ガリウム)単結晶は、特別なLEC法により結晶成長させた単結晶です。単結晶GaSb結晶は、低いエッチピット密度（EPD）（<1000/cm2）を有します。GaSb基板は、赤外発光ダイオード（LED）等に利用されています。

GaAs
(ﾋ化ｶﾞﾘｳﾑ)

 ヒ化ガリウム（allium arsenide）は、ガリウム（Ga）と砒素（As）の化合物からなる半導体であり、化合物半導体ともいわれる。また、ガリウムヒ素と呼ばれることもある。本化合物半導体は、シリコン半導体に比べて、電子移動度が高いため、動作が高速化が可能であり、消費電力が低い特長を持つ。近年では、高周波特性が要求される携帯電話をはじめとするモバイル機器等に多く搭載されるようになっている。
GaN
(窒化ｶﾞﾘｳﾑ)		 窒化ガリウム（GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
GaNﾃﾝﾌﾟﾚｰﾄ(ｻﾌｧｲｱ上) サファイヤ上のGaNテンプレートは、ハイドライド気相成長(HVPE: Hydride vapor phase epitaxy)法による作られていますGaNテンプレートは MBE, MOCVDそしてCVDにより 、 III-V窒化物エピ成長を行なう場合の基礎基板として使用可能です。
InP
(ﾘﾝ化ｲﾝｼﾞｳﾑ)		 リン化インジウム（indium(III) phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物。特別なLEC技術により、結晶成長されたInP単結晶です。
InAs
(ﾋ化ｲﾝｼﾞｳﾑ)		 ヒ化シンジウム（Indium Arsenide）、別名インジウム砒素は、インジウムと砒素の化合物。結晶構造は、立方晶系結晶の化合物半導体。灰色の金属状化合物で、組成式InAs。融点1215°C、密度 5.66 g/cm3。
Ge
（ｹﾞﾙﾏﾆｳﾑ）		 ゲルマニウム（Germanium）は、炭素族の元素のひとつであり、結晶構造は、ダイヤモンド構造です。また、シリコンより狭いバンドギャップ（約 0.7eV）を持つ半導体であり、光検出素子として用いられ、赤外線に対して透明で、赤外域で高い屈折率（約n=4）を示す材料として光学用途にも多用されます。

■用語の説明
単結晶
(Single crystal)		 単結晶とは結晶のどの位置であっても、結晶軸の方向が変わらないものをいう。単結晶の集合体が多結晶である。
結晶構造
(Crystal structure)		 結晶中の原子の配置構造のこと。
結晶成長法
(Growth Method)		 結晶成長とは、単結晶である支持結晶基板や種結晶を元にして、その結晶を増大させることである。結晶成長法とは、その方法のことを言う。
チョクラルスキー法
(Czochralski method)		 チョクラルスキー法（CZ法）とは半導体（シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム）、金属（白金、金、銀）、塩類、人造宝石向けに使用される超高純度の単結晶を成長させる方法である。
種結晶をるつぼ内で溶融状態の原料物質に接触させてゆっくりと上方に回転させながら引き上げて、単結晶を作製する方法の一種。
格子定数
(Lattice constant)		 結晶軸の長さや軸間角度のこと。単位格子の各綾間の角度 α,β,γ と、各軸の長さ a,b,c を表す6個の定数である。格子の形状等によっては、aの値のみを表すこともある。
軸の長さの単位は普通オングストロームを用い、自明として単位を付けずに数値のみを書く場合が多い。

面方位
(Orientation)

単結晶基板または、ウェハなどで，表面部分が有する結晶方位のこと。
結晶方位
(Crystal orientation)		 結晶方位とは、試料座標系と結晶座標系の間の相対的な関係を
表すものである。
密度
(Density)		 単位体積あたりの質量のこと。単位体積あたりの質量としての密度は国際単位系 (SI) では キログラム毎立方メートル（kg/m3）を単位として使用する。他にも g/cm3 = kg/L などがある。
原子密度
(Atomic density)

物質1cm3=1cc中の原子の個数のこと。
融点
(Melt point)		 融点とは、固体が融解し液体化する温度のこと。
硬度
(Hardness)		 硬さとは物質、材料の特に表面または表面近傍の機械的性質の一つ。
熱膨張率
(Thermal expansion)		 圧力一定のもとでの物体の熱膨張の温度に対する割合。物体の単位体積当りの温度１℃上昇による膨張量を体膨張率，固体の単位長さの温度１℃上昇による延びを線膨張率という。熱膨張係数と言う場合、一般には線膨張率をさすが、誤解を避けるため、"線膨張率"を使うのが好ましい。線膨張率は従来単位もＳＩ単位も同じ／℃であるが、数値が小さく10－５等の累乗で表示する。
熱伝導率
(Thermal conductivity)		 熱伝導率は、熱伝導度ともいい、熱伝導において、熱流束密度（単位時間に単位面積を通過する熱エネルギー）を温度勾配で割った物理量。その逆数を熱抵抗率（ねつていこうりつ）という。物質内に温度差があると温度の高い方から低い方へ熱が移動する．熱伝導率は，この熱の移動しやすさを表す量である．熱伝導率は厚さ1mの板の両面に1Kの温度差があるとき，その板の面積1平方メートル（1m2）の面を通して1秒（1s）の間に流れる熱量を表す。
抵抗率
(Resistivity)		 電気抵抗率（electrical resistivity）は、どんな材料が電気を通しにくいかを比較するために、用いられる物性値である。単に、抵抗率（resistivity）、比抵抗（specific electrical resistance）とも呼ばれる。単位は、オームメートル（Ω･m）である。
電子移動度
(Mobility)		 電子移動度（electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。電界(V/cm)-電子速度(cm/s）の傾きが電子移動度である。単位はcm2/Vsである。
ドーピング
(Doping)		 ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。
キャリア濃度
(Carrier concentration)		 ドーパントを加えた半導体におけるキャリアの濃度である。キャリアとは電子または正孔であり、ドーピングによって伝導帯に直接導入されるもので、熱を加えても増えるものではない。ドーパント (dopant) とは、半導体にドーピングされる不純物のこと。
エッチピット密度
(EPD)		 エッチピット密度は、半導体ウェハの品質の評価のための基準です。エッチングの際に生じるくぼみ（エッチピット）の単位面積当たりの数。
バンドギャップ
(Band gap)		 バンドギャップ（Band gap、禁止帯、禁制帯）とは、 広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。
屈折率
(Refractive index)		 屈折率とは、真空中の光速を物質中の光速（より正確には位相速度）で割った値であり、物質中での光の進み方を記述する上での指標である。
シンチレーション
(scintillation)		 放射線が蛍光物質に衝突したとき、短時間発光する現象。また、その光。