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リン化インジウム単結晶(InP)
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リン化インジウム（indium(III) phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物。特別なLEC技術により、結晶成長されたInP単結晶です。常温で安定な結晶構造は閃亜鉛鉱型構造（ジンクブレンド型構造）の化合物半導体。銀色の金属状化合物で、組成式InP。式量145.792、融点1062°C、比重4.81。半導体材料としての性質は、1.35eVのバンドギャップを持つIII-V族半導体であり、電子移動度は<0.54m2/Vs、ホール移動度は<0.02m2/Vsである。高電界下での電子移動度はシリコンやヒ化ガリウムより高い値となる。リン化インジウムは単結晶基板として用いられるが、ヒ化ガリウムやリン化ガリウムに比べると大きな格子定数を有することで、この基板に格子整合する（格子定数が同じとなる）InGaAs、AlInAs、InGaAsP、AlGaInAsといった材料をエピタキシャル成長することが可能となる。こういった材料を組み合わせることで、光通信用の受発光デバイスや、超高速トランジスタ、共鳴トンネリングダイオードやそれらの集積回路の作成が可能となる。

■標準特性値
ﾄﾞｰﾊﾟﾝﾄ ﾀｲﾌﾟ ｷｬﾘｱ濃度( cm-3) 電子移動度( cm2/V.Sec) 抵抗率( ohm-cm ) ｴｯﾁﾋﾟｯﾄ密度(cm-2)
Undoped N 0.8 〜 2.0 x1015 3600 〜 4000 0.03 〜 0.2 5〜6 x104
Sn N 0.5 〜1.0 x1018 200 〜 2400 0.001 〜 0.002 3〜5 x104
0.5 〜1.0 x1018 1500 〜 2000 0.0025〜0.007
Zn P 0.8 〜 2.0 x1018 2500 〜 3500 0.0025 〜 0.006 1〜 3 x104
2.5 〜 4.0 x1018 1300 〜 1600
Fe Semi-Insulating 0.1 〜 1.0 2000 107 〜 108 4〜 5 x104
 
サイズ 厚さ 面方位 ﾄﾞｰﾌﾟ 表面
2ｲﾝﾁ 0.35mm (100) Fe doped 片面研磨
2ｲﾝﾁ 0.5mm (100) S doped 片面研磨
2ｲﾝﾁ 0.4mm (100) Zn doped 両面研磨
2ｲﾝﾁ 0.35mm (100) Zn doped 片面研磨
3ｲﾝﾁ 0.625mm (100) Zn doped 片面研磨
2ｲﾝﾁ 0.35mm (100) Sn doped 片面研磨
2ｲﾝﾁ 0.35mm (100) undoped 片面研磨
2ｲﾝﾁ 0.5mm (100) undoped 両面研磨