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リン化ガリウム単結晶(GaP：Gallium Phosphide)
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GaP

GaP(リン化ガリウム)単結晶は、6ナインの高純度材料を使用して、LEC法により結晶成長させた単結晶です。単結晶GaP基板は、赤色、黄色、緑色LED用の基板として、広く利用されています。

■標準特性値
  • 結晶構造：　立方晶（Cubic)
  • 結晶成長法：　CZ(LEC)法
  • 格子定数：　a=5.4505 Angstroms
  • 密度：　4.13 gram/cm2
  • 融点：　1480℃
  • 熱膨張： 5.3x10-6 (/ ℃)
サイズ 成長法 面方位 厚さ ﾄﾞｰﾌﾟ ﾀｲﾌﾟ 抵抗 表面
10x10mm CZ 100 0.5 mm undoped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.45 mm undoped N > 1x10^7 (Ω-cm) 片面研磨
10x10mm CZ 100 0.5 mm undoped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.5 mm undoped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.5 mm undoped N - 両面研磨
3ｲﾝﾁ CZ 100 0.3 mm undoped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.5 mm S doped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.35 mm S doped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.5 mm S doped N - 片面研磨
48mm CZ 100 0.25 mm S doped N 0.185(Ω-cm) 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.4 mm S doped N 0.052(Ω-cm) 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.35 mm Zn doped P 0.071(Ω-cm) 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.4 mm Zn doped P 1.17xE-1(Ω-cm) 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 100 0.4 mm Zn doped P 8.0x10E-2 (Ω-cm) 片面研磨
10x10mm CZ 110 0.5 mm undoped N - 片面研磨
10x10mm CZ 110 1 mm undoped N - 片面研磨
10x10mm CZ 110 0.5 mm undoped N - 両面研磨
5x5mm CZ 110 0.3 mm undoped N - 両面研磨
5x5mm CZ 110 0.3 mm undoped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 110 0.4 mm undoped N - 両面研磨
10x10mm CZ 110 1 mm undoped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 110 0.45 mm undoped N > 1x10^7 (Ω-cm) 片面研磨
10x10mm CZ 111 0.35 mm undoped N - 両面研磨
10x10mm CZ 111 0.5 mm undoped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.5 mm S doped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.5 mm S doped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.5 mm undoped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.33 mm S doped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.45 mm undoped N - 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.45 mm Zn doped P 7.50E-02(Ω-cm) 片面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.5 mm Zn doped P 1.10E-01(Ω-cm) Pｻｲﾄﾞ研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.45 mm undoped N - 両面研磨
2ｲﾝﾁ CZ 111 0.5 mm undoped N - 両面研磨