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ヒ化インジウム単結晶(InAs)
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ヒ化シンジウム（Indium Arsenide）、別名インジウム砒素は、インジウムと砒素の化合物。結晶構造は、立方晶系結晶の化合物半導体。灰色の金属状化合物で、組成式InAs。融点1215°C、密度 5.66 g/cm3。リン化インジウムは、波長範囲1〜3.8μｍの赤外検出素子の材料として使用される。その検出素子は、光起電力のフォトダイオードである。また、リン化インジウムは、半導体レーザーの材料としても使われています。

 

■標準特性値
  • 結晶成長方法： LEC
  • 成長方位： (111) または、(100)
  • キャリア濃度： <3E16 /cm3
  • 電子移動度： >20000 cm2/V.S
  • エッチピット密度： <5E4 /cm2
 
サイズ 成長法 面方位 厚さ ﾄﾞｰﾌﾟ ﾀｲﾌﾟ 表面
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.45mm Zn doped P 片面研磨
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.5mm S-doped N 片面研磨
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.45mm S-doped N 片面研磨
10x10mm LEC 100 0.5mm S-doped N 片面研磨
10x10mm LEC 100 0.5mm Sn doped N 片面研磨
10x10mm LEC 100 0.5mm Zn doped P 片面研磨
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.4mm Undoped N 片面研磨
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.45mm Undoped N 両面研磨
2ｲﾝﾁ LEC 100 0.4mm Undoped N 両面研磨
30mm LEC 100 0.5mm Undoped N 片面研磨
5x5mm LEC 100 0.5mm Undoped N 片面研磨
10x10mm LEC 100 0.4mm Undoped N 片面研磨
30mm LEC 110 0.5mm Undoped N 片面研磨
30mm LEC 111 0.5mm Zn doped P 両面研磨
10x10mm LEC 111 0.5mm Undoped N 片面研磨
ellipse shape wafer (area >30mm dia) LEC 411 0.5mm S doped N 片面研磨
ellipse shape wafer (area >30mm dia) LEC 511 0.5mm S doped N 片面研磨