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アンチモン化ガリウム単結晶(GaSb：Gallium Antimonide) |
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GaSb（アンチモン化ガリウム)単結晶は、特別なLEC法により結晶成長させた単結晶です。単結晶GaSb結晶は、低いエッチピット密度（EPD）（<1000/cm2）を有します。GaSb基板は、赤外発光ダイオード（LED）等に利用されています。 |
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■標準特性値 |
- 結晶構造： 立方晶（Cubic)
- 結晶成長法： LEC法
- 格子定数： a=6.095 Angstroms
- 密度： 5.619 gram/cm2
- 融点： 710℃
- 熱膨張： 6.1x10-6 (/ °K)
- 熱伝導率： 270mW/cm.k ＠300k
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| サイズ |
成長法 |
面方位 |
厚さ |
ﾄﾞｰﾌﾟ |
ﾀｲﾌﾟ |
表面 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.5mm |
undoped |
- |
両面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.45mm |
undoped |
- |
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.42mm |
undoped |
- |
片面研磨 |
| 3インチ |
LEC |
100 |
0.625mm |
undoped |
- |
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.45mm |
Si doped |
P |
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.45mm |
Te doped |
N |
片面研磨 |
| 3インチ |
LEC |
100 |
0.625mm |
Te doped |
|
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.45mm |
Te doped |
P |
片面研磨 |
| 3インチ |
LEC |
100 |
0.625mm |
Zn doped |
P |
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.45mm |
Zn doped |
P |
片面研磨 |
| 2インチ |
LEC |
100 |
0.5mm |
Zn doped |
P |
片面研磨 |
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