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GaNテンプレート(サファイア上)
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サファイヤ上のGaNテンプレートは、ハイドライド気相成長(HVPE: Hydride vapor phase epitaxy)法による作られていますGaNテンプレートは MBE, MOCVDそしてCVDにより 、 III-V窒化物エピ成長を行なう場合の基礎基板として使用可能です。

■標準特性値
 
サイズ 面方位 厚さ ﾄﾞｰﾌﾟ ﾀｲﾌﾟ
5×5mm M (00.1) 3μm - N
5×5mm C (0001) 30μm - N
10×10mm M (00.1) 5μm - N
10×10mm C (0001) 5μm - N
10×10mm R (00.1) 5μm - N
2ｲﾝﾁ C (0001) 30μm undoped N
2ｲﾝﾁ C (0001) 5μm undoped N
2ｲﾝﾁ R (00.1) 5μm undoped N
2ｲﾝﾁ - 5μm undoped N
2ｲﾝﾁ C (0001) 5μm undoped N
4ｲﾝﾁ - 0.5μm undoped N
10×10mm - 0.5μm undoped N