VSL光学利得測定装置 |
||||||||||||
 |
||||||||||||
| 本装置は、Variable Stripe Length（VSL）法により、半導体レーザー用エピタキシャルウェハおよびレーザーバーのモーダル光学利得ならびにレーザー発振しきい値を評価する測定装置です。 励起光源には266nmパルス紫外レーザー（パルス幅3～5ns、繰返し周波数10-15Hz）を採用し、高ピークパワーの紫外パルス光により試料を効率よく光励起します。励起ストライプ長は手動可変スリットにより連続的に設定でき、可変スリット像は専用の紫外顕微鏡光学系を用いて結像レンズおよび紫外対物レンズにより試料表面へ高精度に転写されます。 励起ストライプの長さおよび幅は、対物ミクロメータと紫外CCDカメラを用いてあらかじめ校正されます。また、各ストライプ長における照射エネルギー強度はパワーメータで測定し、ストライプ長と照射エネルギー強度の相関を取得することで、定量性の高いVSL測定を実現しています。 試料端面から出射されるASE（Amplified Spontaneous Emission：増幅自然放出光）は、紫外顕微鏡により発光面を紫外CCDカメラでリアルタイムに観察するとともに、分光器によりASEスペクトルを測定します。各ストライプ長で取得したASEスペクトルからピーク強度（相対強度）を求め、ストライプ長とASEピーク強度の関係を解析することにより、モーダル光学利得を算出します。また、励起光強度を変化させた測定により、レーザー発振しきい値の評価も可能です。 266nm紫外レーザーは約4.66eVの高い光子エネルギーを有しており、GaN系、AlGaN系、ZnO系などのワイドバンドギャップ半導体レーザー材料の光学利得評価に適しています。本装置は、半導体レーザー材料の研究開発、エピタキシャル成長条件の最適化、レーザー構造設計および品質評価に最適な測定システムです。 |
||||||||||||
■特長 |
||||||||||||
|
1. Variable Stripe Length（VSL）法によるモーダル光学利得測定 2. 266nmパルス紫外レーザー（3～5ns、15Hz）による光励起 3. 手動可変スリットによる励起ストライプ長の連続可変 4. 紫外顕微鏡光学系によるストライプ像の高精度転写 5. 対物ミクロメータおよび紫外CCDカメラによる励起ストライプ寸法の校正 6. パワーメータによる照射エネルギー強度の校正 7. 紫外CCDカメラによるレーザーバー端面のASE観察 8. 分光器によるASEスペクトル測定 9. ストライプ長とASEピーク強度（相対値）の解析によるモーダル光学利得の算出 10. 励起光強度を変化させたレーザー発振しきい値の評価 |
||||||||||||
■仕様 |
||||||||||||
|
||||||||||||
■発光点の画像 |
||||||||||||
 |
||||||||||||
■照射ストライプの画像 |
||||||||||||
|
||||||||||||
※本仕様および外観は改善のため予告無く変更することがあります。 |
