PL＆ラマン同時マッピングシステム
MPLARSMS-266-785
PL＆ラマン同時マッピングシステム MPLARSMS-266-785
 
本装置は、ラマン分光測定とフォトルミネッセンス（PL）測定を同一スポットで同時に行い、試料のマッピング測定を実現するRaman＆PL同時マッピング装置です。
近赤外レーザによるラマン測定と紫外レーザによるフォトルミネッセンス測定を同時に行うことで、半導体材料の結晶性、応力、組成などの構造情報と、発光特性や欠陥準位などの光学特性を同一位置で相関解析することができます。さらに、光学系を切り替えることにより、紫外レーザ励起によるラマン測定にも対応しています。
本装置は、ラマンおよびPLマッピングデータを同一座標上で取得できるため、半導体材料や光半導体デバイスの研究開発、材料評価および不良解析に有効な分析システムです。

■特徴
1. ラマンとフォトルミネッセンスの同時マッピング測定が可能
2. 深紫外、紫外、近赤外の3つのレーザを搭載
3. 非点収差Zeroの分光器を採用することにより、従来品と比べ、装置がコンパクトになりました。
4. バックイルミネイト型＋エタロニング対応CCDにより、高感度の測定を実現しました。
5. 200mmストロークの大型精密自動ステージを使用して、6インチサイズのウェハのマッピングを行うことができます。
6. ラマン測定時の入射光、受光の偏光を制御でき、また、フォトルミネッセンスの受光側の偏光を制御できます。
7. 測定項目は、以下の通りです。
　・325nm励起PL分光測定と785nm励起ラマン分光測定の同時測定
　・266nm励起PL分光測定と785nm励起ラマン分光測定の同時測定
　・266nm励起ラマン分光測定
　・325nm励起ラマン分光測定
8. コンピュータにより制御、測定できます。

■基本仕様
励起レーザ光1 波長 266nm
出力 20mW（CW）
線幅 0.005pm未満
ビーム品質 TEM00、M²＜1.3
偏光比 ＞100：1
励起レーザ光2 波長 325nm
出力 50mW（CW）
横モード TEM00
偏光比 ＞500：1
励起レーザ光3 波長 785nm
出力 70mW
線幅 ＜200kHz
光学部 Raman及びPL同時マッピング測定可能光学系
偏光計測可能
走査部 移動量 XY：200mm
Z：20mm
分解能 XY：2μm/パルス
Z：0.1μm/パルス
Raman分光測定部 焦点距離 320mm
明るさ f/4.6
メカニカルスキャン範囲 0nm～800nm（標準グレーティング1200本/mm使用時）
分解能 0.08nm
グレーティングマウント 交換式3枚
非点収差 CCD接続時非点収差が26.8mm×8mm（CCD素子内）の全エリアでZero
波長精度 ±0.2nm
波長再現性 ±0.025nm
CCDタイプ バックイルミネイトDD型エクセロンタイプ
CCDフォーマット 1340 × 400pixel（20μm × 20μm）
Spectrometric Well Capacity High Sensitivity 300 ke- (typical), 250 ke- (min)
High Capacity 1 Me- (typical), 750 ke- (min)
感度 250 ke-、または0.7 Me-で切り替えが可能
ダークカレント 0.03 (typical) @-75°C (e-/p/sec)
リードノイズ 3 e- rms (typical), 5 e- rms (max) @100kHz
11 e- rms (typical), 16 e- rms (max) @2MHz
PL分光測定部 焦点距離 101.6mm
明るさ f/4
受光素子 電子冷却裏面入射型FFT-CCDエリアイメージセンサ
有効素子数 1024 × 58pixel（24.6μm角）
量子効率 90%ピーク、65%@250nm
波長範囲 200nm～950nm
光学分解能 1.53nm（理論値）
測定解析部 National Instruments社製LabVIEWなどの標準的機器制御ソフトウェアに対応
※オプション：解析ソフトウェア

※本仕様および外観は改善のため予告無く変更することがあります。