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Teledyne Judson Technologies社
位置検出センサ
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J16PS, J12PS, J10PS 位置検出センサ：

Ge、InAs、あるいは、InSb位置検出センサは、４つの電極を持つ、非分割のひとつのフォトダイオード素子でできています。これらのデバイスは、レーザー光、及び赤外光線の線形のビーム位置のXY座標情報情報を提供します。図１に示されるように、位置情報が決定されます。ジャドソン社の位置検出素子には、PA6:4Cプリアンプが推薦されています。
 
検出器型式 品番 検出器ﾀｲﾌﾟ 波長範囲 受光面ｻｲｽﾞ "2L" Linear Position Zone (Dia.) 標準位置分解能 標準電極間抵抗 最大感度 動作温度 ﾊﾟｯｹｰｼﾞ
(μm) (mm) (mm) (μm)
J16PS-P6-S10M-HS 460284 Ge 0.8-1.8 10 x 10 6 5 〜100 0.6 22°C TO3
J16PS-8E6-S05M-HS 460743 Ge 0.8-1.8 5 x 5 3 5 〜100 0.6 22°C TO8
 

J16QUAD, J10QUAD, J15QUAD 4分割光検出素子：
Ge、InAs、または、HgCdTe4分割検出素子は、約0.05mmの隙間間隔でマトリックス状に配列した４つの個別の検出素子からできています。PA7:4プリアンプがJ16QuadとJ10Quad検出素子に利用可能です。
 
検出器型式 全受光面ｻｲｽﾞ 直径 (mm) ｼｬﾝﾄ抵抗 RD @ VR = 10mV (K) 暗電流 ID @ Maximum VR (μA) 最大逆電圧 VR (V) 標準雑音等価電力 @peak and 300Hz (pW/Hz1/2) 静電容量 CD @ VR = 0V (nF) 遮断周波数 @ Max. VR and RL = 50(MHz) 検出素子間距離
Min. Typ. Typ. Max.
LOW CAPACITANCE OPTION ("HS")
J16QUAD-8D6-R02M-HS 2.0 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 15μm
J16QUAD-8D6-R05M-HS 5.0 20 40 5 15 5 0.8 1 8 20μm
HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC")
J16QUAD-8D6-R02M-SC 2.0 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 15μm
J16QUAD-8D6-R05M-SC 5.0 55 90 0.35 3 0.25 0.6 14 0.2 20μm
STANDARD
J16QUAD-8D6-R02M 2.0 100 200 1 5 5 0.3 1 15 15μm
J16QUAD-8D6-R05M 5.0 25 50 4 10 5 0.6 4 4 20μm
 
figure1
図１
 
figure2
図２
 
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