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Teledyne Judson Technologies社
MCT(HgCdTe)光起電力素子

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J19TEシリーズ MCT光起電力素子

J19TEシリーズ検出素子は、500nm〜5.0μmの波長範囲において使用のための高品質HgCdTeフォトダイオードです。その等価回路は、入射光による発生電流Iph、素子接合容量CD、シャント抵抗RD、および直列抵抗RSです。

温度効果:

HgCdTeフォトダイオードの冷却は、雑音を減少させ、検出能を向上します。冷却は、また、シャント抵抗RDを増加させます。HgCdTeフォトダイオードは、温度を下げることにより、より長い波長における感度を向上します。

 

Figure 19 Figure 20
図19 図20
Figure 21 Figure 22
図21 図22

電子冷却素子動作:

図23、24と25は、TE2、TE3、およびTE4冷却素子の典型的な電源条件を示します。内蔵のサーミスタは、温度をモニターするか温度を制御するために使うことができます。図21は、典型的なサーミスタの抵抗−温度特性を示します。感度、カットオフ波長、そして、応答一様性は、すべて温度の関数です。検出素子の温度は、個々のアプリケーションにに対して最適化してください。

 

Figure 23 Figure 24
図23 図24
Figure 25
図25

動作回路:

ほとんどのアプリケーションに推奨する動作回路は、検出素子に 0.1Vの逆バイアス電圧を印加した負帰還トランスインピーダンス構成(図22)のオペアンプです。

HgCdTe光起電力素子の特長:

通常は、500nm〜5.5μmの波長領域で通常使用される光導電素子と異なり、HgCdTeフォトダイオードは、光起電力効果で動作するため、その使用においてバイアス電流を必要としません。そのことは、直流または、低周波数のアプリケーションに対して、J19TE検出素子をより良い選択とします。PbS、PbSe、およびHgCdTeの光導電素子が有する低周波雑音、または、1/F雑音の特性をJ19TE検出素子が示さないことからも同じことが言えます。J19TE検出素子は、また、ハイスピードパルスレーザーの検出やモニタリングのアプリケーションに対して、優れたパルス応答性を提供します。
 
Thermoelectrically Cooled Photovoltaic HgCdTe Detectors
検出器型式 品番 受光面サイズ 直径r (mm) 動作温度 (℃) 50%カットオフ波長 (μm) 最大感度波長 (um) 最大感度 min (A/W) シャントインピーダンス (Ω) 暗電流 (A) 最大比検出能力 D* (Jones)
min typical typ max min typ
J19TE1:5-37S-R01M 440038 1.00 -20 ≧5.0 ≧4.5 2.8 4.0E+02 8.0E+02 5.0E-04 1.5E-03 1.1E+10 1.9E+10
J19TE2:5-66C-R01M 440017 1.00 -40 ≧5.0 ≧4.5 2.8 2.5E+03 5.0E+03 2.0E-04 6.0E-04 1.8E+10 3.0E+10
J19TE3:5-66C-R01M 440010 1.00 -65 ≧5.0 ≧4.5 2.8 8.0E+03 1.6E+04 6.0E-05 1.8E-04 3.2E+10 5.6E+10
J19TE4:5-3CN-R01M 440023 1.00 -80 ≧5.0 ≧4.5 2.8 1.6E+04 3.2E+04 3.0E-05 9.0E-05 4.6E+10 7.9E+10
J19TE4:5-3VN-R01M 440037 1.00 -95 ≧5.0 ≧4.5 2.8 2.4E+04 4.8E+04 2.0E-05 6.0E-05 5.6E+10 9.7E+10

 

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