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Teledyne Judson Technologies社
MCT(HgCdTe)光導電素子
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J15シリーズ MCT検出素子

HgCdTe（水銀・カドミウム・テルル）は、合金組成に比例したカットオフ波長を示す三価の半導体化合物です。実際の検出素子は、受光面を形作る導体パッドと10〜20μm厚のHgCdTe層から構成されています。半導体バンドギャップエネルギーより大きなエネルギーを有する光子（フォトン）を検出素子に照射すると価電子帯の電子は伝導体に励起され、その結果、素子の電気伝導率が増加する（光伝導、または、光導電と呼ばれる光電効果）。最大感度波長は、材料のバンドギャップエネルギーに依存します。それは、合金組成を変えることによって、変えることができます。電気伝導率の変化を測定するために、バイアス電流または、電圧が必要です。一般に、検出素子は、受光面に均一にバイアス電流が流れるように、四角、または長方形の形状で作られます。

検出素子のバイアスと動作回路：:
J15シリーズ　HgCdTe光導電素子を動作させる基本回路は、図２の通りです。これらの検出素子は、一般に10〜150Ωの低インピーダンス素子です。そして、低電圧雑音アンプが必要です。電流制限抵抗RBと低雑音直流電圧電源または、バッテリーを使用して、一定のバイアス電流を検出素子に供給してください。AC接合コンデンサは、高利得アンプからの直流バイアス電圧をブロックし、直流飽和を防ぎます。性能を最適化するために、PA-101プリアンプをほとんどのJ15シリーズ検出素子に推奨します。PA-101は、内蔵バイアス電気回路を持ち、工場にて、特別にそれぞれの検出素子にマッチされます。PA-101の低雑音、高利得、そして、広帯域は、オシロスコープ、A/Dコンバータ、ロックインアンプ等を使用した後段のデータ処理のための適切な性能を確かにします。

 
Figure 1 Figure 2 Figure 3
図１ 図２ 図３
 

比検出能力 D* と感度−バイアス特性：

全てのJ15シリーズHgCdTe検出素子の感度と検出能は、バイアス電流の関数です。図３は、J15D14シリーズの液体窒素冷却検出素子(受光面：1mm）の感度と検出能の相対値の例を示します。低いバイアス電流においては、感度は、バイアス電流にほぼ直線的に増加します。しかし、大きなバイアス電流においては、検出素子の自己発熱のために、最終的には、感度を落ちさせます。最大感度におけるバイアス電流でご使用頂くことはお奨め致しません。システムの性能は、全体的なSN比または、検出能に依存します。低いバイアス電流では、プリアンプの雑音または、システムの雑音が支配するかもしれません。大きなバイアス電流では、1/ｆ表面雑音は、しばしば、容認できないほど大きくなります。各々の検出素子は、PA-101プリアンプを使ったときの最適なバイアス電流値が記載されたデータシートが添付されます。最適なバイアス電流値は、バックグランド赤外光の有る無しにより変わるかもしれません。

感度−受光面サイズ特性：
全てのJ15シリーズHgCdTe検出素子の電圧感度は、図４に示すように、素子の受光面サイズにより、大きく変わります。感度は、また、カットオフ周波数、視野角の制限、動作温度、および、バイアス電流に依存します。同じ検出素子の感度でさえ、材料の成分のバラツキにより、2倍以上にわたるかもしれない。最適なバイアスにおける実際のピークと黒体感度データは、それぞれの検出素子に添付されます。すべての光検出素子と同じように、最適なシステム性能は、検出可能な入射光を受光することができる最も小さいサイズの検出素子で達成されます。入射光のスポットサイズを小さくして、SN比を向上するために、集光光学系を使用することを強くお奨め致します。

 
Figure 4 Figure 5 Figure 6
図４ 図５ 図６

感度と雑音−周波数特性：
HgCdTe検出素子の周波数特性は、HgCdTe結晶の中の電子のライフタイムτに関係があります。そして、ライフタイムτは、材料構成と動作温度に依存します。図５は、J15D2シリーズ液体窒素冷却検出素子の周波数−感度特性と周波数−雑音特性の例です。それぞれの検出素子のタイプの実際の時定数は、仕様に記載しています。3dBカットオフ周波数は、fc=1/(2πτ)で算出されます。全てのHgCdTe光導電素子は、折点周波数（一般的に1kHz）より低い周波数において、f-1/2としておおよそ増加する余分な低周波ノイズを示します。最適な検出能は、折点周波数からカットオフ周波数fcまでの広い範囲にわたって、達成されます。10kHzにおける実際の感度、ノイズ、及び検出能のデータは、各々の検出素子に添付されます。

 
Figure 7 Figure 8
図７ 図８

直線性と温度特性：
それぞれのJ15シリーズHgCdTe検出素子は、特に、特性の動作温度範囲のために設計されています。感度と検出能は、一般に、動作温度が低いと増加します。HgCdTe光導電素子は、広いダイナミックレンジを持ちます。（図７）しかしながら、非常に高い入射光パワーレベルにおいては、感度の減少がおきるかもしれません。

■アプリケーション
  • 熱画像計測/赤外線画像計測/サーマルイメージング
  • 炭酸ガスレーザー光の検出
  • FTIR 分光計測
  • 熱線誘導/赤外線誘導/熱線追尾
  • ナイトビジョン
J15Dシリーズ検出素子は、2〜6μmの波長範囲の光を検出するために設計された水銀・カドミウム・テルル（HgCdTe）光導電素子です。最大感度波長は、使用した特定の合金組成に依存します。全てのJ15Dシリーズ検出素子は、77°Kの極低温動作用に設計されています。ジャドソン社の優れた技術と慎重なデバイスの選択は、最先端の性能を持つバックグラウンド制限性能検出素子を提供することを可能にします。

J15D5シリーズ HgCdTe光導電素子 (2〜 5μm)：
J15D5シリーズHgCdTe検出素子は、5μmにピークを持ち、液体窒素冷却光伝導素子を必要とする熱画像計測、または、熱線誘導のアプリケーションのために推薦されます。3〜5μmの波長範囲における素晴らしい性能は、J15TE2、J15TE3、そして、J15TE4シリーズ電子冷却型HgCdTe検出素子からも得ることができます。

J15D12シリーズ HgCdTe光導電素子 (2〜12μm)：
J15D12シリーズHgCdTe検出素子は、11μｍにピークを持ち、12μｍ以上にカットオフ波長があります。このデバイスは、高い感度、バックグラウンド制限性能に近い性能、そして、速い応答時間を持ち、8〜12μmの波長範囲で最適な性能を提供します。アプリケーションは、サーモグラフィ（熱画像計測装置）、炭酸ガスレーザ検出、熱線誘導等です。全角６０度視野角(FOV)コールド絞りを持つ全ての標準サイズの最小の、そして、典型的な検出能は、仕様表にリストされています。減少した視野角(FOV)のためのコールド絞りは、少しの追加料金で提供されます。そして、検出素子の性能は、しばしば、バックグラウンド制限を受けることから、コールド絞りは、検出能を向上するかもしれません。特別注文のコールドフィルタも、また、必要以外の波長範囲の光を排除することにより、検出能を向上するかもしれません。検出素子は、ZnSe窓付のM204、または、M205の金属デュワーにマウントされています。ジュール・トムソン・クライオスタットと閉サイクル冷却のためのデュワーを含む多種多様なガラス及び金属デュワーのオプションが利用可能です。LC1とRC2の冷却システムは、J15D12検出素子を大量の液体窒素無しで動作させることが可能です。全てのジャドソン社のHgCdTe検出素子は、完全に不動態化（金属を酸化させることで電気が流れない状態を作る事/パシベート処理）されています。そして、お客様にマウントするためのデュワーマウント、または、小型のフラットパックにて、提供することが可能です。J15D12シリーズの検出素子は、リニアアレイ、4分割セル、２色複合素子を含む多種多様な特別な形状で生産されることができます。

J15Dxxシリーズ FTIR分光計測用HgCdTe光導電素子 (2〜26μm)：

J15D14、J15D16、J15D22、およびJ15D24シリーズ HgCdTe検出素子は、従来方式の赤外分光計測、または、フーリエ変換(FTIR)型赤外分光計測に使用するために特別に設計されています。J15D14シリーズは、750〜5000cm-1の狭い帯域での使用において、最も高い感度を提供します。受光面サイズが1mmのタイプは、従来のサンプリングのために、推薦されます。受光面サイズが0.1mmと0.25mmのタイプは、顕微鏡アプリケーションに最適です。
J15D16 シリーズは、素晴らしい検出能を維持したまま、600〜5000cm-1の中帯域の延長された波長範囲を提供します。J15D22 シリーズ またはJ15D24 シリーズは、一般的な425〜5000cm-1の広帯域の分光に選択される検出素子です。それらは、対抗素子のパイロエレクトリック（焦電型）検出素子より、はるかに高い感度と速度を有します。J15Dシリーズは、標準のM204、または、M205金属デュワーにマウントされます。ほとんどのFTRIメーカーに合うように設計されたさまざまの代替デュワーがオプションとして利用可能です。FTIR検出素子用の標準窓材は、狭帯域と中帯域用はZnSe、広帯域用は、です。全ての窓は、不必要な干渉効果を防ぐために、ウェッジ付基板を使用しています。各々の検出素子には、検出能性能データと分光感度カーブが添付されています。
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Typical Specifications J15D Series HgCdTe @ 77°K , 60°FOV
検出器型式 品番 受光面 (square) (mm) カットオフ波長 λco (20%) (μm) 最大感度波長λpeak (μm) 比検出能力 D* @ 10KHz (cm Hz1/2 W-1) 感度 @ λpeak (V/W) 時定数τ (μsec) 標準 抵抗 RDET (Ω/sq) 標準ﾊﾞｲｱｽ電流 IB (mA) ﾊﾟｯｹｰｼﾞ
Min. Typ. 標準 ｵﾌﾟｼｮﾝ
J15D5 ｼﾘｰｽﾞ HgCdTe (2-5 μm)
J15D5-M204-S050U-60 0.05 〜5.5 〜5 8x1010 1x1011 2x105 1 100〜 〜0.8 M204 See Catalog
J15D5-M204-S01M-60 450546 1 5x1010 8x1010 2x103 5 800 〜10
J15D12 ｼﾘｰｽﾞ HgCdTe (2-12 μm)
J15D12-M204-S025U-60 450135-2 0.025 >12 11±1 3x1010 5x1010 1x105 0.15 20 〜 120 〜0.8 M204 Metal Sideview See Catalog
J15D12-M204-S050U-60 450186-1 0.050 3x1010 5x1010 8x104 0.2 〜1.2
J15D12-M204-S075U-60 450675 0.075 3x1010 5x1010 6x104 0.3 〜2
J15D12-M204-S100U-60 450156-1 0.10 3x1010 5x1010 4x104 0.4 〜3
J15D12-M204-S250U-60 450059-1 0.25 3x1010 5x1010 15x103 0.5 〜8
J15D12-M204-S500U-60 0.50 3x1010 4x1010 6x103 0.5 〜16
J15D12-M204-S01M-60 450005-1 1 3x1010 4x1010 3x103 0.5 〜30
J15D12-M204-S02M-60 450013-1 2 2x1010 2.5x1010 500 0.5 〜40
J15D12-M204-S04M-60 450022-1 4 1x1010 1.5x1010 100 0.5 〜40
J15Dxx ｼﾘｰｽﾞ HgCdTe for FTIR Spectroscopy (2-26 μm)
J15D14-M204-S100U-60 450658 0.10 >13.5 (750cm-1) 〜13 3x1010 5x1010 4x104 0.5 20 〜 100 〜3 M204 Metal Sideview See Catalog
J15D14-M204-S250U-60 450695 0.25 3x1010 5x1010 15x103 〜8
J15D14-M204-S500U-60 0.50 3x1010 4x1010 6x103 〜16
J15D14-M204-S01M-60 450011-1 1 3x1010 4x1010 1x103 〜30
J15D14-M204-S02M-60 450058-1 2 2x1010 2.5x1010 500 〜40
J15D16-M204-S100U-60 450761 0.10 〜16.6 (600cm-1) 〜14 2.5x1010 4x1010 9x103 0.3 18 〜 120 〜3
J15D16-M204-S250U-60 450951 0.25 2.5x1010 4x1010 3x103 〜8
J15D16-M204-S01M-60 450624 1 2.5x1010 3x1010 900 〜30
J15D16-M204-S02M-60 450704 2 1.5x1010 2x1010 150 〜40
J15D22-M204-S250U-60 450869 0.25 〜22 (450cm-1) 〜16 5x109 1x1010 800 0.1 18 〜 120 〜15
J15D22-M204-S01M-60 450054-1 1 5x109 1x1010 150 〜40
J15D22-M204-S02M-60 450283 2 4x109 6x109 30 〜50
J15D24-M204-S01M-60 450094-1 1 〜24 〜20 3x109 5x109 40 0.1 20-80 〜40
J15D26-M204-S01M-60 450554 1 〜26 〜20 2.5x109 4x109 30 0.08 20-80 〜40
 

J15TEシリーズ 電子冷却型MCT光導電素子：
J15TE シリーズ「ショートウェーブ」検出素子は、電子冷却型HgCdTe光導電素子です。それらは、液体窒素冷却無しで、2〜5μmの波長範囲において、良い感度が必要な一般産業と軍事のアプリケーション用に設計されています。J15TEシリーズ HgCdTe検出素子は、高い検出能、低いバイアス電流、選択的な最大感度波長、速い応答時間を含めて、PbSe検出素子を比較するとかなりの利点を提供します。

■アプリケーション
  • 熱画像計測/赤外線画像計測/サーマルイメージング
  • 産業用プロセス制御
  • 熱線誘導/熱線追尾
  • レーザー警告レシーバー/レーザ警戒装置/レーザー測距装置
  • レーザーモニター
  • 温度モニター

J15TE2シリーズ 2段電子冷却型HgCdTe光導電素子：

J15TE2シリーズ検出素子は、高品質なHgCdTe素子と、2段電子冷却素子、およびサーミスターを含んでいて、TO 型パッケージにハーメチックシールされています(66C、3CN または HS1)。検出素子のカットオフ波長と最大感度波長は、選択されたHgCdTe材料成分によって変化します。J15TE2 シリーズ素子の標準カットオフ波長は、4.0μm、4.5μmと5.0μmです。

Figure 9 10Figure 8
図９ 図１０

2段電子冷却素子:

2段電子冷却素子は、-40℃と同じくらい低い検出素子温度を提供するために、低電圧直流電流で駆動します（図１１）。内蔵のサーミスターは、検出素子の温度のモニタと制御のために使用することができます。ジャドソン社の冷却素子用電源と温度コントローラーは、冷却素子を使うために便利です。

J15TE3:5シリーズ 3段電子冷却型HgCdTe光導電素子：

J15TE3:5シリーズ検出素子は、高品質なHgCdTe素子、3段電子冷却素子、およびサーミスターで構成され、フランジ付「66C」パッケージの中に乾燥窒素でハーメチックシールされています。検出素子は、1〜5μmの波長範囲において4段電子冷却や液体窒素冷却なしで最適な性能を発揮するように設計されています。

3段電子冷却素子:

３段電子冷却素子は、-65℃と同じくらい低い検出素子温度を提供するために、低電圧直流電流で駆動します（図１２）。内蔵のサーミスターは、検出素子の温度のモニタと制御のために使用することができます。ジャドソン社の冷却素子用電源と温度コントローラーは、冷却素子を使うために便利です。

4段電子冷却素子

４段電子冷却素子は、-80℃と同じくらい低い検出素子温度を提供するために、低電圧直流電流で駆動します（図１３）。内蔵のサーミスターは、検出素子の温度のモニタと制御のために使用することができます。ジャドソン社の冷却素子用電源と温度コントローラーは、冷却素子を使うために便利です。
 
Figure 11 Figure 12
図１１ 図１２
Figure 13
図１３

電子冷却クーラ動作：
図１１、１２と１３は、TE2 TE3とTE4冷却素子の電源条件を示します。ジャドソン社CM21アセンブリは、最適な冷却と温度制御に対してお奨め致します。HS1パッケージオプションは、２段電子冷却型検出素子用の便利なヒートシンクを提供します。ヒートシンク、ハイブリッドアンプ、及び電子冷却素子のための温度コントローラーもまた、ご用意しています。

プリアンプ：
TE2とTE3シリーズ検出素子両方のための推奨のプリアンプは、ジャドソン社モデルPA-101とPA-300電圧モードプリアンプです。PA-101は、5Hz〜1MHz帯域動作ための定バイアス電流と信号増幅を提供します。PA-300は、DC〜1MHz帯域動作ための定バイアス電流と信号増幅を提供します。
 
Typical Specifications J15TE Series Thermoelectrically Cooled HgCdTe
検出器型式 品番 受光面 (square) (mm)

動作温度

(℃)

ｶｯﾄｵﾌ波長

λco (50%) (μm)

最大感度波長 λpeak (μm) 最小黒体感度 比検出能力 D* (500°K, 10KHz) (cmHz1/2 W-1) 標準 比検出能力 D* (λpeak, 10KHz (cmHz1/2 W-1) 標準感度 @ λpeak (V/W) 時定数 τ (μsec) 標準ﾊﾞｲｱｽ電流 IB (mA) ﾊﾟｯｹｰｼﾞ
標準 ｵﾌﾟｼｮﾝ
J15TE2ｼﾘｰｽﾞ 2段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE2:4-66C-S250U .25 -40℃ 4.0 ± 0.25 〜4 1.8x109 4x1010 16K 5 0.5 〜 5 66C HS1 and CM21
J15TE2:4-66C-S01M 450699 1 4K
J15TE2:4.5-66C-S250U 450825 .25 4.5 ± 0.25 〜4.4 1.8x109 2.5x1010 8K 3
J15TE2:4.5-66C-S01M 450082 1 2K
J15TE2:5-66C-S250U 450673 .25 5.0 ± 0.25 〜4.8 1.3x109 1.5x1010 4K 2
J15TE2:5-66C-S01M 450694 1 1K
J15TE3:5 ｼﾘｰｽﾞ 3段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE3:5-66C-S100U 450562 .10 -65℃ >5.0 〜4.8 3.5x109 3x1010 20K 2 0.5 〜 5 66C HS1 and CM21
J15TE3:5-66C-S250U 450674 .25 3.5x109 10K
J15TE3:5-66C-S01M 450651 1 3.0x109 3K
J15TE4 ｼﾘｰｽﾞ 4段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE4:5-3CN-S100U 450645 .10 -80℃ >5.0 〜4.8 6.0x109 6.0x1010 40K 2 0.5 〜 5 3CN HS1 and CM21
J15TE4:5-3CN-S250U 450646 .25 10K
J15TE4:5-3CN-S01M 450838 1 3K
 
3CN パッケージ
66S 及び 66Z パッケージ
 
J15TE シリーズ「ロング−ウェーブ」検出素子は、波長10.6μmの炭酸ガスレーザー光の検出 、FTIR分光計測にお使い頂ける電子冷却型HgCdTe光導電素子です。HgCdTe 検出素子は、対抗素子のパイロエレクトリック（焦電型）検出素子に対して、100Hz〜20MHzの広い周波数領域に渡る低いマイクロフォニック雑音、電磁気的耐性（immunity to EMI）、高い検出能を含んだ重要な利点を提供します。J15TE3:10検出素子は、経済的な３段電子冷却素子を内蔵しています。J15TE4検出素子は高性能４段電子冷却素子にマウントされています。

■アプリケーション
  • レーザー警告レシーバー/レーザ警戒装置/レーザー測距装置
  • レーザーヘテロダイン検出
  • レーザーモニター
  • FTIR分光計測
  • レーザー警戒受信機

J15TE3:10シリーズ ３段電子冷却HgCdTe光導電素子：

J15TE3:10検出素子は、高品質HgCdTe素子、3段電子冷却素子、およびサーミスターを含みます。そして、全ては、コンパクトな66Gパッケージにハーメチックシールされています。パッケージは、ヒートシンクに用意に取り付けることができるようにフランジがついています。検出素子は、パルス、または、変調されたハイパワー炭酸ガスレーザー光の経済的な検出のために設計されています。

3段電子冷却素子
３段電子冷却素子は、-60℃と同じくらい低い検出素子温度を提供するために、低電圧直流電流で駆動します。内蔵のサーミスターは、検出素子の温度のモニタと制御のために使用することができます。ジャドソン社のCM21冷却素子ヒートシンクと温度コントローラは、冷却素子を便利に操作するために、推薦されます。
 
Figure 14
図１４

プリアンプ：
ジャドソン社の電圧モードプリアンプは、TE3とTE4シリーズ検出素子両方のために推薦されます。ジャドソン社プリアンプは、信号増幅と同様に、検出素子へバイアスを供給します。PA-300プリアンプは、FTIR分光計測アプリケーションのために推薦されます。そして、検出素子に、一定のバイアス電圧を印加します。

J15TE4:10シリーズ ４段電子冷却型HgCdTe光伝導素子：

J15TE4:10 検出素子は、3GNハーメチックパッケージの中に、高品質HgCdTe素子、4電子冷却素子、およびサーミスターを含みます。3GNは、優れた密封性と長寿命を確実にするための溶接密封された丈夫なパッケージです。検出素子は、液体窒素冷却が無しで可能な最も高い感度が必要な波長10.6μｍのパルス、または、変調された炭酸ガスレーザーアプリケーション用に設計されています。

J15TE4:FTIRシリーズ：
J15TE4:FTIR検出素子は、3GNハーメチックパッケージの中に、高品質HgCdTe素子、4電子冷却素子、およびサーミスターを含みます。1.0μmから指定されたカットオフ波長までの波長範囲の広帯域FTIRアプリケーションのために、最大のSN比を得るために設計されています。CM21アセンブリとPA-300アンプを組み合わせることで、このシリーズは信頼性が高い24時間性能を提供します。

 
Figure 15 Figure 16 Figure 17
図１５ 図１６ 図１７

４段電子冷却素子：
４段電子冷却素子は、195°Kと同じくらい低い検出素子温度を提供するために、低電圧直流電流で駆動します（図１６）。内蔵のサーミスターは、検出素子の温度のモニタと制御のために使用することができます。最適な性能を発揮するため、パッケージは5〜10ワット消費することが出来るヒートシンクにマウントすることを推奨します（図１７）。ジャドソン社のCM21冷却素子ヒートシンクと温度コントローラは、冷却素子を便利に操作するために、推薦されます。

■TE4冷却素子仕様：
- 冷却：　4段
- 冷却時間： 30〜150秒
- 到達温度： @ 25°周囲温度: -90°C
- 電源条件 @ 6V: 3 〜 7 W
- 周囲温度範囲： -55 〜 +60°C
 
Typical Specifications J15TE Series Thermoelectrically Cooled HgCdTe

検出器型式

品番 受光面 (square) (mm) 動作温度 (℃) 最大感度波長 λpeak (μm) 比検出能力 D* @ 10KHz (cm Hz1/2 W-1) 標準感度 @ λpeak (V/W) 時定数 τ (μsec) 標準ﾊﾞｲｱｽ電流 IB (V) ﾊﾟｯｹｰｼﾞ
Min. Typ. 標準 ｵﾌﾟｼｮﾝ
J15TE3:10 ｼﾘｰｽﾞ 3段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE3:10-66GE-S250U 450660 0.25 -65 10.6μ m 1x108 2x108 10 1 .175V 66GE CM21, HS1
J15TE3:10-66GE-S01M 450632 1 -65 10.6μ m 1x108 2x108 2 5 3V 66GE CM21, HS1
J15TE4:10ｼﾘｰｽﾞ 4段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE4:10-3GN-S250U 0.25 -80 10.6μ m 3x108 6x108 20 1 .175V 3GN CM21, HS1
J15TE4:10-3GN-S01M 450692 1 -80 10.6μ m 3x108 6x108 5 5 3V 3GN CM21, HS1
J15TE4: FTIR ｼﾘｰｽﾞ 4段電子冷却素子 HgCdTe
J15TE4:9-3ZN-S01M 450762 1.00 -80 10μ m @ 20% 1x109 2x109 10 50 3V 3ZN CM21, HS1
J15TE4:8-3ZN-S01M 450822 1 -80 8μ m @ 20% 3x109 5x109 20 500 3V 3ZN CM21, HS1
J15TE4:6-3C12-S1.5M 450935 1.5 -80 6μ m @ 20% 1.4x1010 2x1010 100 1000 3V 3C12 CM21, HS1
 
66GE パッケージ 3GN パッケージ

J15InSbシリーズ MCT/InSb複合素子
Figure 11 Figure 18
  図１８
 
J15InSbシリーズ素子は、HgCdTe検出素子上に「サンドイッチ」構成でマウントされた高品質のInSb検出素子から成ります。InSb検出素子は、1〜5μmの波長の入射光に感度があり、HgCdTe検出素子が6〜13μmの波長の入射光に感度があります。(図１８)。より長波長に感度のある検出素子も提供可能です。
検出素子の焦点面は0.5mm以内の間隔に置かれます。そして、それらの中心は0.15mm以内に整列されます。検出素子の動作温度は、77°Kで、ZnSe窓付の標準のM204、またはM205の金属デュワーにマウントされます。InSb素子とHgCdTe素子は別々のプリアンプを必要とします。
 
Typical Specifications J15InSb Series @77°K
検出器型式 品番 受光面 波長範囲 (20% cutoff for HgCdTe) 最大感度 標準 比検出能力 D* D*(λpeak,10KHz) ﾃﾞｭﾜｰﾊﾟｯｹｰｼﾞ
(mm) (μm) (cm Hz1/2 W-1) 標準 ｵﾌﾟｼｮﾝ
J15InSb-M204-S01M-60 InSb 450662 1.0

1 to 5.5

2A/W

1x1011

 M204 Metal Sideview Shown in Catalog
HgCdTe 6 to 12 1500V/W 2.5x1010
J15InSb-M204-S02M-60 InSb 450736 2.0

1 to 5.5

2A/W

1x1011
HgCdTe 6 to 12 500V/W 2x1010
J15D14InSb-M204-S01M-60 InSb 450107-1 1.0

1 to 5.5

2A/W

1x1011
HgCdTe 6 to 13.5 1000V/W 2x1010
J15D14InSb-M204-S02M-60 InSb 450052-2 2.0

1 to 5.5

 2A/W

1x1011
HgCdTe 6 to 13.5 500V/W 2x1010
J15D16InSb-M204-S01M-60 InSb 450155 1.0

1 to 5.5

 2A/W

1x1011
HgCdTe 6 to 16.6 500V/W 1x1010
 
HgCdTe/InSb複合素子の情報（英文）はこちらから