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分類 装置名 概要
フォトルミネッセンス測定装置 フォトルミネッセンス測定装置
① 深紫外レーザー励起
② 遠赤外対応 		フォトルミネッセンス（PL）測定は、レーザーなどの励起光を半導体サンプルへ照射し、伝導帯へ励起された電子と価電子帯の正孔が再結合する際に放出される発光（フォトン）を高分解能分光器で測定・解析する非接触・非破壊の光学評価手法です。測定された発光スペクトルから電子遷移、結晶品質、欠陥準位、キャリア挙動を直接評価できます。 
極低温フォトルミネッセンス測定装置 4K低温フォトルミネッセンス（PL）測定は、試料を極低温（約4K）に冷却し、熱による非輻射再結合を抑制した状態で発光特性を評価する手法である。励起レーザーにより生成されたキャリアの再結合発光を分光検出し、励起子発光、欠陥準位、局在状態などの本質的な発光機構を高分解能で観測できる。活性層の結晶品質、バンド構造、内部量子効率の上限評価、発光失活要因の解析に用いられる。 
高温フォトルミネッセンス測定装置 高温フォトルミネッセンス測定は、加熱した試料に励起光を照射し、発光スペクトルの温度依存性を測定する手法である。バンドギャップ変化、欠陥準位、熱消光特性、発光安定性を評価でき、SiC、GaN、LD・LED材料など高温動作デバイス評価に用いられる。 
顕微フォトルミネッセンス測定装置 顕微フォトルミネッセンス測定は、顕微光学系により微小領域へ励起光を集光し、局所発光特性を解析する手法である。欠陥分布、組成ムラ、量子井戸特性、結晶品質を高分解能で評価でき、半導体薄膜、ナノ材料、発光デバイス解析に用いられる。 
フォトルミネッセンスマッピング測定装置 フォトルミネッセンスマッピング測定は、試料にレーザー光を照射して発生する発光を位置ごとに分光測定し、光学特性の空間分布を可視化する手法です。半導体材料やウエハの評価に用いられ、バンドギャップ分布、発光強度、欠陥・不純物分布、組成ばらつき、膜質均一性などを非破壊で評価できます。 
時間分解フォトルミネッセンス測定装置 時間分解フォトルミネッセンス測定は、パルス光励起後の発光減衰を時間分解で測定し、キャリアの再結合過程を解析する手法である。発光寿命、非放射再結合、欠陥準位、量子効率を評価でき、半導体、有機EL、量子ドット材料研究に用いられる。 
角度分解フォトルミネッセンス測定装置 角度分解フォトルミネッセンス測定は、試料からの発光を角度ごとに分光し、放射特性の角度依存性を評価する手法である。発光指向性、バンド分散、共振モード、微細構造の光学特性を解析でき、LED、レーザー、フォトニック結晶の評価に用いられる。 
VLS（Variable Stripe Length）法レーザーダイオード利得評価装置 VLS法レーザーダイオード利得評価装置は、VSL（Variable Stripe Length）法により光学利得を測定する装置である。ストライプ状の励起光の長さを段階的に変化させながら試料を励起し、導波方向端面から出射する自然放出光の増幅強度を解析して光学利得を算出する。利得スペクトル、透明電流、利得係数、内部損失の評価が可能で、LD材料設計、構造最適化、量産前特性評価に用いられる。 
励起強度可変型ストライプ光励起レーザー評価装置 本装置は、線状（ストライプ状）に成形したレーザー光を半導体レーザー構造に照射し、励起光強度のみを可変することで端面からの発光特性を評価する装置です。ストライプ長を一定に保ったまま励起密度を掃引することで、発光強度の非線形応答、ASE発生挙動、利得のしきい値、飽和特性、再結合過程などを評価できます。主にレーザーダイオード、量子井戸構造、エピ成長層の光学特性評価、デバイス開発、プロセス条件最適化、歩留まり評価に用いられます。 
サーマルフォトルミネッセンス測定装置 サーマルフォトルミネッセンス（TL）測定は、セラミックスなどに放射線照射で蓄積されたエネルギーを加熱による発光として読み出し、積算放射線量を高感度に測定する手法です。発光強度やグローカーブから線量やトラップ特性を評価できます。医療被ばく管理、環境放射線測定、原子力分野、考古学年代測定などに利用されます。 
ラマン分光装置 ラマン分光装置 ラマン分光装置は、レーザー光を試料に照射し、分子振動に由来するラマン散乱光を分光測定することで物質の化学構造を解析する装置である。分子結合、結晶構造、応力、相同定などの評価が可能で、材料分析、化学、半導体、電池材料など幅広い分野で用いられる。 
顕微ラマン分光装置 顕微ラマン分光装置は、光学顕微鏡とラマン分光を組み合わせ、微小領域の分子構造や結晶状態を高空間分解能で測定する装置である。局所応力、欠陥、組成分布の評価が可能で、半導体デバイス、薄膜材料、微小異物解析などに活用される。 
ラマン分光マッピング測定装置 ラマン分光マッピング測定装置は、試料表面上の各位置でラマン分光測定を行い、その結果を二次元または三次元的に可視化することで、分子構造や結晶状態の空間分布を評価する装置である。ラマンピークの強度、ピーク位置、半値幅の分布解析により、組成ばらつき、結晶性、応力分布、欠陥分布を高精度に評価できる。半導体ウエハ、薄膜材料、複合材料、デバイス構造解析などにおいて、材料特性の均一性評価や不良要因解析に広く活用される。 
過渡吸収マッピング測定装置 過渡吸収測定は、パルス光で試料を励起し、その直後からの透過光や反射光の変化を時間分解で測定する手法である。差分吸光度ΔA(t)から光キャリアの生成・再結合寿命、励起状態の緩和過程、トラップ挙動、非線形光応答などを評価できる。半導体、太陽電池、有機光機能材料、光触媒などの動的物性解析に広く用いられる。 
光熱変位マッピング測定装置 光熱変位測定は、試料に変調したレーザー光を照射して発生する熱膨張による微小な表面変位を、別の検出光で高感度に測定する非接触評価法である。熱拡散率、熱伝導率、膜厚、吸収係数、界面欠陥などの評価が可能で、半導体薄膜、有機材料、光学部材、MEMS 構造の物性評価や欠陥検査に用いられる。 
DLOS測定装置（深準位光分光法） DLOS測定は、半導体中の深い準位（ディープレベル）に存在するキャリアを光励起によって光イオン化し、その際に生じる光電流や容量変化を検出する手法である。欠陥準位のエネルギー位置、密度、捕獲断面積などを高感度に評価でき、Si、SiC、GaN などの半導体材料の欠陥解析やデバイス信頼性評価に用いられる。 
プロセスモニター プロセスモニターは、MOCVDなどの結晶成長中に、膜厚・ウェハ反り・温度をその場で同時測定する装置である。膜厚は膜表面と界面で反射するレーザー光の干渉から算出し、反りはレーザーの反射角度変化より評価する。温度はウェハからの熱放射を検出して非接触で算出でき、成長状態のリアルタイム管理に用いられる。 
プローバー マニュアルプローバー 本装置は、ウェハ上の半導体デバイスにプローブ針を手動で接触させ、電圧を印加して電流・容量を測定することで、I-V特性およびC-V特性を評価するマニュアルプローバーです。リーク電流、しきい値電圧、接合容量、ドーピング分布などの電気特性評価が可能で、デバイス開発、プロセス評価、故障解析に利用されます。 
光半導体用マニュアルプローバー（LEDテスト） 光半導体用マニュアルプローバーは、ウェハ状態のLEDやLDにプローブ針で接触し、SMUにより電流・電圧を制御・測定しながら、発光した光をフォトダイオードで検出して光出力を同時に取得するIVL測定装置である。さらに分光器を用いて発光スペクトルの測定も可能で、ピーク波長や半値幅などの光学特性を含め、ウェハレベルでの電気・光学特性の同時評価に用いられる。 
光半導体用コンパクトプローバー 本装置は、発光デバイスに電流を印加して各種評価を行うためのコンパクトなプローバーです。実体顕微鏡による観察下で、発光デバイスの電極とプローブ針の位置合わせを行い、確実に接触させた上でデバイスへ通電します。ポータブル設計のため、電極とプローブ針を接触させた状態のまま他の測定機器と組み合わせることができ、IV特性測定、IVL特性測定、波長測定、発光画像解析など、幅広い評価に対応可能です。また、裏面方向からの発光観察が可能な窓を備えており、透過光を利用した観察・測定にも対応します。 
LED放射束測定マニュアルプローバー 積分球と分光器を用いて、光半導体デバイスの2π放射束を高精度に測定する評価装置である。ウェハまたはチップにプローブ針で接触し、SMUにより電流・電圧を制御・測定しながら、発光した光を積分球で全量収集し、分光器により放射束を算出する。フォトダイオードを用いず、電気特性と2π放射束の同時取得が可能で、LEDの光学特性評価や量産前検査に用いられる。 
LED放射束測定セミオートプローバー 積分球を使用したセミオートプローバーは、ウェハレベルのLEDや光半導体デバイスに対し、半自動位置決めでプロービングを行い、電流・電圧特性と2π放射束を同時に測定できる評価装置である。発光した光は積分球で全量収集し、分光器により放射束やスペクトルを算出する。高い再現性と測定スループットを両立し、研究開発から量産評価まで幅広く用いられる。 
加熱ステージ付マニュアルプローバー 加熱ステージ付マニュアルプローバーは、ウェハやデバイスを加熱しながら電気特性を評価できる測定装置である。室温から高温まで温度制御しつつ、IV特性やリーク電流、温度依存性を測定でき、パワー半導体や耐熱デバイスの信頼性評価に用いられる。 
高周波デバイス評価用マニュアルプローバー （マイクロ波テストフィクスチャ） 高周波デバイス評価用マニュアルプローバーは、GSGプローブ針を用いてGHz帯までの高周波信号を安定して測定できる評価装置である。Sパラメータ、高周波特性、インピーダンスの評価が可能で、RFデバイスや高速通信向け半導体の特性評価に用いられる。 
セミオートプローバー セミオートプローバーは、半自動位置決め機構により、ウェハ上の複数チップを高精度かつ連続的に測定できる半導体評価装置である。IV特性、リーク電流、耐圧などの電気特性を高スループットで取得でき、研究開発から量産前検査まで幅広く用いられる。 
レーザーダイオードテストシステム マニュアルタイプ レーザーダイオード（LD）バーレベル評価に対応したマニュアルプローバータイプは、プローブ針によりLDバーへ直接接触し、50nsec短パルス駆動対応SMUで電流・電圧制御と光出力測定を行う装置である。しきい値電流、IVL特性、発振波長、パルス応答の評価が可能で、研究開発や試作LDバーの特性確認に用いられる。 
セミオートタイプ LDバーレベル評価用セミオートプローバータイプは、半自動位置決めによりLDバー上の複数エミッタを連続測定できる装置である。50nsec短パルス駆動対応SMUを用いてIVL特性、しきい値電流、光出力、パルス応答を高スループットで取得でき、量産前評価や特性ばらつき検証に用いられる。 
マイクロLED発光パターン顕微観察システム 本装置は、μLED（マイクロLED）の発光パターンを顕微観察・定量評価するための評価装置です。着脱可能なコンパクトプローバーによりμLEDへ通電し発光させ、顕微鏡に搭載されたビームプロファイラにより発光分布を高精度に測定します。裏面発光・表面発光の両観察に対応し、輝度分布、発光均一性、配光特性の評価が可能です。 
顕微鏡 紫外顕微鏡（266～620nm） 本装置は、波長範囲266nm～620nmに対応した紫外・可視対応顕微鏡です。一般的な可視域専用顕微鏡とは異なり、深紫外域から可視域までの観察・測定が可能で、紫外領域での高分解能評価に適しています。照明光には紫外光を選択できるため、可視照明時に問題となる色収差の影響を受けにくく、波長依存性の少ない高精度な観察が可能です。半導体材料、微細構造、光学材料などの紫外顕微評価に最適な顕微鏡です。 
近赤外顕微鏡（400～1700nm） 本装置は、波長範囲400nm～1700nmに対応した可視・近赤外対応顕微鏡です。一般的な可視域専用顕微鏡とは異なり、可視域から近赤外域までの広い波長帯における観察・測定が可能で、近赤外領域でのみ現れる内部構造や材料特性の評価に適しています。照明光には近赤外光を選択できるため、可視照明時に生じる色収差の影響を受けにくく、波長依存性の少ない高精度な観察が可能です。半導体材料、赤外透過材料、光デバイスなどの近赤外顕微評価に最適な顕微鏡です。 

顕微レーザー照射顕微鏡 

①紫外レーザー光 266nm～620nm

 ②近赤外レーザー光400nm～1700nm  

本装置は、顕微鏡ユニットにレーザー入射ポートを備えたレーザー照射用顕微鏡です。試料の微小領域へレーザー光を高精度に照射することができ、照射スポット位置はカメラによりリアルタイムで確認できます。局所加熱、光励起、微細加工、光応答評価など、幅広い用途に対応します。 波長範囲は用途に応じて以下の3種類から選択可能です。 

① 266nm～620nm（紫外～可視）

 ② 355nm～1064nm（紫外～近赤外）

 ③ 400nm～1700nm（可視～近赤外） 

材料特性や評価目的に応じた最適な波長帯での微小領域レーザー照射を実現します。  

顕微分光用顕微鏡 

①紫外 266nm～620nm

 ②近赤外400nm～1700nm  

本装置は、顕微鏡ユニットに光出力ポートを備えた顕微発光スペクトル測定用顕微鏡です。試料の微小領域からの発光を分光器へ導くことができ、局所領域の発光スペクトルを簡便かつ高精度に測定できます。 波長範囲は用途に応じて以下の3種類から選択可能です。 

① 266nm～620nm（紫外～可視） 

② 355nm～1064nm（紫外～近赤外） 

③ 400nm～1700nm（可視～近赤外） 

評価対象に応じた最適な波長帯での顕微発光スペクトル測定が可能です。  
光学測定用クライオスタット  光学測定用LN₂クライオスタット  本装置は、合成石英製の光学窓および液体窒素によるサンプル冷却機能を備えた、顕微鏡測定用クライオスタットです。サンプル空間を真空排気して真空断熱状態を形成した後、液体窒素によりサンプルステージを冷却し、低温環境下での光学測定を可能にしています。測定用窓表面からサンプルステージまでの距離は3 mmと短く、作動距離の短い高開口数対物レンズを用いた高分解能測定に適しています。また、光学窓には合成石英を採用しているため、紫外から近赤外までの広い波長領域に対応した各種光学測定が可能です。 
光学測定用冷凍機式クライオスタット  本装置は、GM型冷凍機を採用したクローズドサイクル式ヘリウムクライオスタットです。液体ヘリウムを使用せず、約2～3時間で4K以下の極低温環境を実現します。合成石英窓付き真空構造により低温下での光学測定が可能で、試料のXYZ位置調整機構と4K～室温までの安定した温度制御に対応します。半導体材料や光デバイスの低温PL測定、温度依存特性評価などに用いられます。
光学測定用真空加熱装置 本装置は、真空環境下で最大500℃までの加熱と光学測定に対応したコンパクトな真空加熱ユニットです。PID温度制御により安定した高温制御が可能で、前面には石英ガラス製光学窓（φ40mm）を備え、レーザー照射や発光観測に対応します。真空度は1×10⁻³ Torrまで対応し、NW25フランジにより真空機器との接続も容易です。