時間分解フォトルミネッセンス測定装置
model:MＴRPL-TiS+SD/YAG-SS |
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■特徴 |
時間分解フォトルミネセンス(TRPL)法は、ピコ秒レーザー光により、半導体を光励起して、発生するフォトルミネッセンス光強度の時間推移を測定することにより、半導体中のキャリアダイナミックス（電子のふるまい）を測定することができます。電子- 正孔対再結合寿命は、半導体中の残留キャリア濃度や欠陥密度等の半導体の結晶性評価や物性研究の有効な手段の一つです。
本装置では、ピコ秒レーザーと分光器及びストリークカメラを組み合わせることにより、１５ｐｓｅｃの分解能で、時間分解フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル測定が可能です。ＰＬスペクトルをピコ秒の時間領域で超高速時間分解することにより、発光減衰過程や発光スペクトルが時々刻々変化する様子、すなわち発光性分子の光ダイナミクスの直接観測が可能となります。 |
■仕様 |
基本性能 |
| 測定方式 |
30ｍｍφ以下 |
| 蛍光寿命測定範囲 |
合成石英 |
| 励起光波長 |
345〜420nm or 360nm〜460nm |
| 測定対象材料 |
窒素化合物半導体及び炭化ケイ素半導体 |
| 試料サイズ |
2mmφ〜50.8mmφ |
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ピコ秒レーザー光源 |
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基本波 |
SHG波 |
| 波長可変範囲 |
700〜1000nm |
345〜420nm or 360〜460nm |
| 出力 |
1.5W＠800nm
18.75nJ/pulse(typ) |
6mW＠8MHz
0.75nJ/pulse |
| パルス幅 |
2psec以下 |
| 繰返周波数 |
80MHz |
8kHz〜8MHz |
| ビーム径 |
2mm以下 |
| 偏光 |
垂直 |
水平 |
| 付属品 |
光学調整用IRビュアー |
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YAGレーザー光源 |
| 波長 |
355nm |
| 出力 |
8mJ/pulse |
| パルス幅 |
3〜5ns |
| 繰返し周波数 |
1〜15Hz
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| ビーム径 |
3mmφ
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| 偏光 |
垂直 |
| 出力安定度 |
<±1.3% |
| ビーム拡がり角 |
<3mrad |
| ジッター |
±0.5ns |
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ストリートスコープ |
| 波長 |
200nm-850nm |
| 時間分解能 |
<15ps（シングルショット時） |
| 掃引時間 |
1ns-10ms/フルスケール |
| トリガジッタ |
<20ps（最速レンジ） |
| 掃引繰り返し周波数 |
単発-最大20MHz |
| 外部制御機能 |
全機能USBによる外部制御 |
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分光器 |
| 光学配置 |
ツェルニターナ型（収差補正トロイダルミラー付） |
| 焦点距離 |
300mm |
| 口径比 |
F/4 |
| 入射スリット幅 |
10μm〜3000μm可変 |
| グレーティング |
2枚まで装着可 |
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グレーティング |
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グレーティング１ |
グレーティング２ |
| グループ数 |
50g/mm |
100g/mm |
| ブレーズ波長 |
600nm |
450nm |
| 波長域 |
400-1200nm |
300nm-700nm |
| 観測波長範囲 |
約218nm |
約109nm |
| 分解能 |
約4.1nm |
約2.1nm |
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データ解析装置 |
| 制御機能 |
ストリートスコープ |
時間軸設定 |
| ゲイン設定 |
| シャッタ制御 |
| 分光器 |
中心波長設定 |
| グレーティング選択 |
| データ積算機能 |
フォトンカウンティング積算（Peak Detection，Slice） |
| アナログ積算 |
| 補正・較正機能 |
時間軸較正 |
| 波長軸較正 |
| 暗電流補正 |
| 感度ムラ補正 |
| データ解析機能 |
フィッティング処理による3成分指数関数解析 |
| プロファイル解析（波長軸、時間軸） |
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PINダイオード |
| 最小入力レベル |
1mW（f=80MHz,λ=800nm,FWHM<1PS時） |
| 飽和出力レベル |
1.5Vp-p（50Ω） |
| 周波数帯域 |
<100MHz |
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ディレイユニット |
| ディレイ可変範囲 |
0ns〜31.96ns |
| 飽和出力レベル |
30ps,60ps,120ps,250ps,500ps,1ns,2ns,4ns,8ns,16ns |
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デジタルディレイジェネレータ |
| 出力チャンネル数 |
4ch（A,B,C,D出力端子） |
| 出力レベル |
TTL,ECL,NIM,VAR50Ω/HIGH |
| ディレイ設定範囲 |
0ps〜999.9s |
| ディレイ分解能 |
5ps |
| 内部ディレイ時間 |
85ns |
| 繰り返し周波数 |
Single〜1MHz |
| ジッタ |
約100ps |
| インターフェース |
GPIB |
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光学系 |
| ミラー |
誘電体多層膜ミラー
波長範囲：300nm〜500nm
入射角：0〜45°
反射率：98〜99％以上 |
| 集光レンズ |
合成石英平凸球面レンズ
焦点距離：200mm、400mm |
| アッテネータ |
透過率：90％〜5％（連続可変） |
| 光トリガビームサンプラ |
ビームサンプラ 合成石英 1式 |
| 波長モニタオプティクス |
合成石英コンポーネント 1式 |
| サンプルホルダ |
サンプルサイズ：2mmφ〜50.4mmφ
固定方式：クローチャック方式
ＸＹＺストローク：±30m |
| YAGレーザプラットホーム |
光軸高さ 160mm用プラットホーム |
| クライオスタットプラットホーム |
光軸高さ 160mm用プラットホーム |
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シンクロナスディレイジェネレータ |
| トリガモード |
INTERNALモード,EXTERNALモード,DUMPモード |
| 入力信号,出力信号 |
Mode-lock IN |
入力信号周波数 |
10MHz〜200MHz |
| 入力信号レベル |
0dBm〜15dBm |
| インピーダンス |
50Ω |
TRIG.IN |
入力信号周波数 |
0MHz〜16MHz |
| 入力信号レベル |
+0.25V〜+3V |
| インピーダンス |
50Ω/High Z（10kΩ） |
OUTPUT A |
出力信号レベル |
2V |
| インピーダンス |
50Ω |
OUTPUT B,C,D |
出力信号レベル |
2.5V |
| インピーダンス |
50Ω |
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レーザーパルス波形モニタ |
| スキャンレンジ |
150fsec〜15psec |
| 最少パルス幅 |
＜50fsec |
| 最大パルス幅 |
3.5psec |
| 直線性 |
Better 1% of Actual Scan Range |
| 感度 |
10-4W2(光電子増倍管検出器)
1W2（フォトダイオード検出器） |
| 波長レンジ |
NIR：700〜1000nm |
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レーザー波長モニタ |
| 波長範囲 |
200〜850nm |
| スリット幅 |
5μm |
| 波長分解能 |
1nm |
| ブレーズ波長 |
300nm |
| 刻線本数 |
600lines/mm
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| ファイバ |
コア径600μm UV/VIS 2m |
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レーザー出力モニタ |
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モニタ１ |
モニタ２ |
| 方式 |
サーマルセンサ |
サーマルセンサ |
| 吸収体 |
BB型 |
P型 |
| 測定波長範囲 |
0.19-20μm |
0.15-6μm |
| 有効口径 |
φ9.5mm |
φ12mm |
| パワーレンジ |
60μW-3W |
60μW-3W |
| パワースケール |
3W-300μW |
3W-300μW |
| 出力ノイズレベル |
2μW |
4μW |
| 熱的ドリフト(30分以内） |
5-20μW |
5-30μW |
| 最大平均パワー密度 |
200W/cm2 |
50W/cm2 |
| 応答速度 |
1.8秒 |
2.5秒 |
最大エネルギ密度
<100nsec |
0.3J/ cm2 |
1J/ cm2 |
| 応答速度 |
バーグラフを用いたパワー測定 エネルギ測定 アベレージング
露光モード 周波数表示 オート/マニュアルパワー
レンジ切り替え 測定波長補正
初期設定モード（立上がり時の測定条件を記憶）ゼロオフセット設定自動
バックグランド光除去機能（PD300/PD300-3W）
ユーザー校正（校正ファクタ更新による再校正可能）
アナログ出力（1Vフルスケール）
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光学防振台 |
| 定盤寸法 |
2400×1500×209.5Hmm |
| 全体寸法 |
2400×1500×800Hmm |
| 定盤上面 |
端面より内部25XY-M6タップ加工、着磁性ｽﾃﾝﾚｽSUS430 5Tmm |
| 定盤下面 |
スチール材 SPHC 4.5Tmm |
| 定盤側面 |
ビニールレザー貼り |
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ラック等 |
| 計測系関連ラック |
サイズ：600W×700D×1511.5Hmm |
| レーザー関連ラック |
サイズ：600W×700D×1511.5Hmm |
| コンピュータラック |
サイズ：650〜880W×700D×1150Hmm |
| チェア |
サイズ：620W×630D×800〜965Hmm |
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※本仕様および外観は改善のため予告無く変更することがあります。 |
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