反射率波長特性測定装置
model:MRS-03
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　本装置は、微小スポットにおける反射率の波長特性を測定する装置です。高電圧印加ユニットを使用することにより、光学試料への高電圧印加による反射率特性を測定できます。
 

■特徴
  • 光学素子の微小スポット（φ５００μｍ）の反射率波長特性を測定可能です。
  • ４００ｎｍ〜８００ｎｍの広い波長領域を測定できます。
  • ±１ｋＶ〜±１０ｋＶまでの高電圧を試料に印加できます。
  • 印加高電圧は、１ｋＨｚ〜２０ｋＨｚの周波数変調が可能です。
  • 微弱な反射光量の０．１％の高電圧印加信号による光振幅を検知できます。
  • ＣＣＤカメラによる照射スポットの位置合わせが容易に行えます。
  • ２次、３次の非線形成分の測定を実現しました。
 

■仕様

測定波長範囲

400nm〜800nm

 印加電圧範囲 ±１ｋＶ〜±10ｋＶ
測定波長分解能 4nm 印加周波数範囲 DC〜21kHz
分光器焦点距離 100mm 信号振幅検出方式 ロックイン検出方式
回折格子　 1200本/mm 光源 ハロゲンランプ
500nmブレーズ 解析装置 DOS/Vパソコン
測定スポットサイズ 約0.1mm×0.2mm OS Windows2000
モニタ用マイクロレンズ 倍率：0.75〜4.5 架台 空気バネ式防振台
CCDカメラ １/２白黒カメラ 制御方式 GP-IB