結晶成長モニター
model:MCGM-001
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半導体プロセス中の結晶成長を測定可能

■測定原理
成長プロセス中の結晶薄膜に、レーザー光を照射して、薄膜表面と裏面からの反射光を干渉させて、
そのフリンジをカウントすることにより、結晶薄膜の厚さを測定します。

■特徴
  • ユーザーの装置に取り付け可能なシンプルな構造
  • 光学微調整機能を多く採用しているので操作が容易
  • 使いやすいソフトウェア